可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种具有开关功能的半导体器件，在电力电子领域中广泛应用。为了确保其性能稳定可靠，对可控硅进行准确测量显得尤为重要。本文将详细介绍可控硅的基本测量方法，帮助读者更好地理解和应用这一技术。

一、可控硅的基本结构与工作原理

可控硅由三个PN结组成，具有阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)三个引脚。其核心特点是可以通过控制极触发导通状态，而一旦导通后，即使移除控制信号，它仍能保持导通状态，直到电流降至维持电流以下时才关断。这种特性使得可控硅在整流、逆变、调压及交流开关等电路中得到广泛使用。

二、主要参数及其测量方法

1. 正向阻断电压（VDRM）

正向阻断电压是指在未施加控制信号的情况下，可控硅能够承受的最大正向电压值。测试时需注意以下几点：

- 使用万用表或高压测试仪；

- 将阳极接高电位，阴极接地；

- 缓慢增加电压直至达到额定值，并记录数据。

2. 反向击穿电压（VRDM）

反向击穿电压表示当施加反向电压时，可控硅开始发生不可恢复损坏前所能承受的最大电压。测量步骤如下：

- 将阴极接高电位，阳极接地；

- 按照一定步长逐步升高电压；

- 记录出现异常变化时对应的电压值。

3. 触发电流（Ig）

触发电流指的是使可控硅从截止状态转变为导通状态所需的最小控制极电流。具体操作如下：

- 给定固定电压至阳极；

- 调节控制极电流至刚好能使设备导通；

- 测量此时的控制极电流大小。

4. 维持电流（Ih）

维持电流是在可控硅导通状态下，为保持其继续工作的最小负载电流。测试过程包括：

- 确保可控硅处于导通状态；

- 逐渐降低通过主回路的电流；

- 当设备重新进入截止状态时停止减小电流，并记录该点电流值。

三、注意事项

- 在进行上述任何一项测试之前，请务必切断电源并做好安全防护措施。

- 不同型号的可控硅可能有不同的规格参数，请参照产品手册进行校准。

- 避免长时间超负荷运行设备，以免造成永久性损害。

四、总结

通过对可控硅各项关键参数的有效测量，我们可以全面评估其性能是否符合设计需求。以上介绍的方法简单实用，适合于日常维护保养工作中使用。希望本篇文章能够为您提供有价值的参考信息！